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為什么發(fā)展自主高端功率半導(dǎo)體更需要IDM企業(yè)?士蘭微的答案…

從國際大廠的歷史來看,全球功率半導(dǎo)體龍頭均為IDM(設(shè)計制造一體化)企業(yè),如英飛凌、安森美、ST、羅姆等,他們擁有自己的晶圓廠、芯片廠、封測廠。在中國臺灣有茂達電子、富鼎電子等一批功率器件的設(shè)計企業(yè)。在國內(nèi),士蘭微、揚杰科技、華微電子為代表性的IDM企業(yè),中車時代電氣及比亞迪也選擇IDM模式生產(chǎn)IGBT;華虹半導(dǎo)體、方正微電子以代工為主,華潤微電子以代工為主、但也在向IDM模式方向發(fā)展,目前純設(shè)計企業(yè)包括韋爾股份、無錫新潔能等少數(shù)企業(yè)。這意味著制造能力建設(shè)是功率半導(dǎo)體企業(yè)走向中高端核心要素。

究其原因,邏輯、存儲芯片的工藝提升路徑是先進工藝(More Moore),靠工藝線寬的縮小提升集成度,從而提高性能和產(chǎn)量,但會導(dǎo)致制造環(huán)節(jié)的投入越來越大,很多廠商無法承擔(dān)如此高的資本投入,因此形成了芯片設(shè)計公司和芯片代工廠的分化。

功率半導(dǎo)體遵循特色工藝(More than Moore),即器件價值的提升不完全依靠尺寸的縮小,而是通過功能的增加。在這個意義上,高端功率半導(dǎo)體所涉及的eNVM、BiCOMS、RFCOMS、BCD、MEMS等工藝都屬于非尺寸依賴的特色工藝。相比以線寬為基準(zhǔn)的邏輯工藝,特色工藝的競爭能力更加綜合,包括工藝、產(chǎn)品、服務(wù)、平臺等多個維度。特色工藝的競爭點在于工藝的成熟度和穩(wěn)定性,工藝平臺的多樣性。

另外,功率半導(dǎo)體產(chǎn)品性能與應(yīng)用場景密切相關(guān),導(dǎo)致平臺多、產(chǎn)品類型多。除了應(yīng)用最廣泛的功率半導(dǎo)體(硅基及化合物),混合信號芯片、射頻IC、汽車電子、MEMS傳感器、MCU、圖像傳感器均為特色工藝驅(qū)動。例如安森美MOSFET多達2,500余種,以及驅(qū)動芯片150余種;英飛凌MOSFET產(chǎn)品電壓范圍從12V到950V,質(zhì)量等級從工業(yè)級到汽車級,種類超過3300種,相應(yīng)的驅(qū)動芯片達到500余種。

可見,功率器件企業(yè)要構(gòu)筑核心競爭力,就需要在堅持以IDM模式為主要經(jīng)營模式的情況下,一方面以下游終端用戶為主要服務(wù)對象,以更好地理解客戶需求,按需生產(chǎn)不同電性功能的功率器件,從而使生產(chǎn)更具彈性,有效提升生產(chǎn)效率;另一方面要在系統(tǒng)的引領(lǐng)下,持續(xù)開展技術(shù)和產(chǎn)品創(chuàng)新,以更好地加速技術(shù)及應(yīng)用積累,在深度及廣度上覆蓋下游客戶日益增長的定制化需求。

具體而言,國產(chǎn)品牌要切入客戶的供應(yīng)鏈體系,就需要企業(yè)能夠支持長期研發(fā)和持續(xù)改進。例如,更換IGBT產(chǎn)品的認證周期在3年左右,下游客戶對原供應(yīng)商的粘性極強。這就需要企業(yè)通過IDM模式形成的設(shè)計與工藝相結(jié)合的綜合實力,提升產(chǎn)品品質(zhì)、加強控制成本,向客戶提供差異化的產(chǎn)品與服務(wù),提高向大型廠商滲透的能力。只有對生產(chǎn)線和設(shè)備精通的企業(yè)才能突破這些技術(shù)難點。

例如,特定耐壓指標(biāo)的IGBT器件,芯片厚度需要減薄到200~100μm,對于較高要求的器件,甚至需要減薄到60~80μm,目前國內(nèi)普遍可以減薄到175μm。當(dāng)硅片厚度減到200~100μm的量級,后續(xù)加工處理非常困難,硅片極易破碎和翹曲, 特別是針對8吋以上的大硅片。據(jù)士蘭微(600460)電子人員的介紹,為突破超薄晶圓后道制造工藝的技術(shù)難點,士蘭微電子引進了全系列的業(yè)界先進制程設(shè)備,包括用于超薄晶圓薄化工藝的Taiko減薄機臺,與之配套的光刻、雜質(zhì)高能注入及實現(xiàn)IGBT場截止層雜質(zhì)激活的激光退火等設(shè)備。2019年上半年實現(xiàn)120μm硅厚度的1350V RC IGBT器件的生產(chǎn)釋放,并實現(xiàn)對終端客戶的批量供貨,在感應(yīng)加熱應(yīng)用領(lǐng)域成功的替代了同類型進口器件產(chǎn)品。士蘭微電子的1350V RCIGBT系列產(chǎn)品基于自研的第三代場截止(Field-StopIII)工藝平臺,進一步優(yōu)化后道工藝制程,在IGBT器件的內(nèi)部集成了續(xù)流二極管結(jié)構(gòu)。現(xiàn)在,士蘭微電子在自有的8英寸芯片生產(chǎn)線上已經(jīng)全部實現(xiàn)了幾類關(guān)鍵工藝的研發(fā)與批量生產(chǎn),是目前國內(nèi)為數(shù)不多已全面掌握上述核心技術(shù)的大尺寸功率半導(dǎo)體器件廠家。


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